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RFTXXN-10CR2550C-Chipwiderstand RF-Widerstand
Model RFTXXN-10CR2550C Power 10 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate AlN Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es ist empfohlen ... -
RFTXX-20CR2550C-Chipwiderstand RF-Widerstand
Vorgeschlagene Befestigungsverfahren Stromdeflow-Reflow-Profil P/N-Bezeichnung Aufmerksamkeit ■ Nach der Speicherdauer neu gekaufter Teile überschreiten die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit. Es wird empfohlen, nach der Vakuumverpackung zu speichern. ■ Thermische Vias durch PCB bohren und mit Lötmittel füllen. ■ Das Reflow -Schweißen wird zum Schweißen bevorzugt. Siehe Reflow -Kurve ■ Um die Anforderungen der Zeichnung zu erfüllen, muss ein Kühler mit ausreichender Größe installiert werden. ■ Wenn nötig, ... -
RFTXX-30CR2550TA Oberflächenmontagewiderstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR2550TA Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
Breitband -Isolator
Breitbandisolatoren sind wichtige Komponenten in HF -Kommunikationssystemen und bieten eine Reihe von Vorteilen, die sie für verschiedene Anwendungen sehr geeignet machen. Diese Isolatoren bieten Breitbandabdeckung, um eine effektive Leistung über einen weiten Frequenzbereich sicherzustellen. Mit ihrer Fähigkeit, Signale zu isolieren, können sie Störungen von den Bandensignalen verhindern und die Integrität von Bandsignalen aufrechterhalten. Einer der Hauptvorteile von Breitbandisolatoren ist ihre hervorragende Leistung mit hoher Isolation. Sie isolieren das Signal am Antennenende effektiv und stellen sicher, dass das Signal am Ende der Antennen nicht in das System reflektiert wird. Gleichzeitig haben diese Isolatoren gute Stehwelleneigenschaften, die reflektierte Signale reduzieren und eine stabile Signalübertragung beibehalten.
Frequenzbereich 56 MHz bis 40 GHz, BW bis 13,5 GHz.
Militär-, Raum- und kommerzielle Anwendungen.
Niedriger Einfügungsverlust, hohe Isolation, hohe Leistungsbearbeitung.
Auf Anfrage erhältlich.
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RFTXX-30CR6363C Oberflächenmontagewiderstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
RFTXX-30CR2550W Oberflächenmontagewiderstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR2550W Power 30 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
RFTXXN-02CR2550B, Chipwiderstand, HF-Widerstand
Model RFTXXN-02CR2550B Power 2 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate AlN Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
Microstrip -Dämpfung mit Ärmel
Der Microstrip -Dämpfung mit Hülse bezieht sich auf einen Spiralmikrostrip -Dämpfungschip mit einem spezifischen Dämpfungswert, der in ein Metallkreisrohr einer spezifischen Größe eingeführt wird (das Rohr besteht im Allgemeinen aus Aluminiummaterial und erfordert leitfähige Oxidation und kann auch mit Gold oder Silber nach Bedarf plattiert werden).
Auf Anfrage erhältlich.
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RFTXXA-02CR3065B Chipwiderstand RF-Widerstand
Model RFTXXA-02CR3065B Power 2 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate Al2O3 Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased Teile über 6 Monate, die Aufmerksamkeit der Schweißbarkeit vor dem Gebrauch. Es ist empfehlen ... -
RFTXXN-05CR1530C-Chipwiderstand RF-Widerstand
Modell RFTXXN-05CR1530C-Leistung 5 W Widerstand xx ω ~ (10 ~ 3000 Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ± 5% Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substrat Aln Widerstandselement Dicke Filmbetriebs-Temperatur-Temperatur-Temperatur-55 bis +150 ° C (siehe DE-Power De-Rating). Teile über 6 Monate, die Aufmerksamkeit der Schweißbarkeit vor dem Gebrauch. Es ist empfohlen ... -
RFTXX-05CR2550W Chip Widerstand RF-Widerstand
Model RFTXX-05CR2550W Power 5 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
RFTXX-30CR6363C-Chipwiderstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR6363C Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ...
