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RFTXX-30CR6363C Chip-Widerstand HF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR6363C Leistung 30 W Widerstand XX Ω (10–3000 Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ±5 % Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C Substrat BeO Widerstandselement Dickschicht Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung) Empfohlene Montageverfahren Leistungsreduzierung Reflow-Profil Teilenummer Bezeichnung Anwendungshinweise ■ Nach einer Lagerzeit von mehr als 6 Monaten ist vor der Verwendung auf die Lötbarkeit zu achten. Es wird empfohlen ... -
RFTXX-30CR2550W Chip-Widerstand HF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR2550W Leistung 30 W Widerstand XX Ω (10~3000Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ±5% Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Widerstandselement Dickschicht Betriebstemperatur -55 bis +150°C (siehe Leistungsreduzierung) Empfohlene Montageverfahren Leistungsreduzierung Reflow-Profil Teilenummer Bezeichnung Anwendungshinweise ■ Nach einer Lagerzeit von mehr als 6 Monaten ist vor der Verwendung auf die Lötbarkeit zu achten. Es wird empfohlen... -
RFTXX-30CR2550TA Chip-Widerstand HF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR2550TA Leistung 30 W Widerstand XX Ω (10–3000 Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ±5 % Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C Substrat BeO Widerstandselement Dickschicht Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung) Empfohlene Montageverfahren Leistungsreduzierung Reflow-Profil Teilenummer Bezeichnung Anwendungshinweise ■ Nach einer Lagerzeit von mehr als 6 Monaten ist vor der Verwendung auf die Lötbarkeit zu achten. Es wird empfohlen… -
RFTXX-30RM2006 Flanschwiderstand HF-Widerstand
Modell RFTXX-30RM2006, Leistung 30 W, Widerstand XX Ω (10–2000 Ω anpassbar), Widerstandstoleranz ±5 %, Kapazität 2,6 pF bei 100 Ω, Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C, Substrat BeO, Abdeckung AL₂O₃, Montageflansch Messing, Anschlussdrähte 99,99 % reines Silber, Widerstandselement Dickschicht, Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung), Umrisszeichnung (Einheit: mm), Die Anschlussdrahtlänge kann den Kundenanforderungen entsprechen. Maßtoleranz: 5 %, sofern nicht anders angegeben. -
RFTXX-30RM1306 HF-Widerstand
Modell RFTXX-30RM1306 Leistung 30 W Widerstand XX Ω (10–2000 Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ±5 % Kapazität 2,6 pF bei 100 Ω Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C Substrat BeO Abdeckung AL₂O₃ Montageflansch Messing Anschluss 99,99 % reines Silber Widerstandselement Dickschicht Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung) Umrisszeichnung (Einheit: mm) Die Anschlusskabellänge kann den Kundenanforderungen entsprechen. Größentoleranz: 5 %, sofern nicht anders angegeben. Empfehlung... -
Doppel-Übergangs-Isolator
Ein Doppeltrennschalter ist ein passives Bauelement, das häufig im Mikrowellen- und Millimeterwellenbereich eingesetzt wird, um Rücksignale vom Antennenende zu isolieren. Er besteht aus zwei Trennschaltern. Seine Einfügungsdämpfung und Isolation sind typischerweise doppelt so hoch wie die eines Einzeltrennschalters. Beträgt die Isolation eines Einzeltrennschalters 20 dB, so kann die Isolation eines Doppeltrennschalters oft 40 dB erreichen. Das Stehwellenverhältnis (VSWR) am Port ändert sich dabei kaum. Im System wird das Hochfrequenzsignal vom Eingangsport zum ersten Trennschalter übertragen. Da ein Ende des ersten Trennschalters mit einem Hochfrequenzwiderstand ausgestattet ist, kann das Signal nur zum Eingang des zweiten Trennschalters gelangen. Der zweite Trennschalter ist analog zum ersten aufgebaut und mit Hochfrequenzwiderständen versehen. Das Signal wird zum Ausgangsport weitergeleitet, dessen Isolation der Summe der Isolationen der beiden Trennschalter entspricht. Das vom Ausgangsport zurückkehrende Rücksignal wird vom Hochfrequenzwiderstand im zweiten Trennschalter absorbiert. Auf diese Weise wird eine hohe Isolation zwischen den Eingangs- und Ausgangsanschlüssen erreicht, wodurch Reflexionen und Störungen im System effektiv reduziert werden.
Frequenzbereich 10 MHz bis 40 GHz, Leistung bis zu 500 W.
Militärische, Weltraum- und kommerzielle Anwendungen.
Geringe Einfügedämpfung, hohe Isolation, hohe Belastbarkeit.
Individuelle Designs sind auf Anfrage erhältlich.
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SMT / SMD-Isolator
SMD-Isolatoren sind Trennelemente, die zur Gehäusemontage und Installation auf Leiterplatten (PCBs) verwendet werden. Sie finden breite Anwendung in Kommunikationssystemen, Mikrowellengeräten, Funkgeräten und anderen Bereichen. SMD-Isolatoren sind klein, leicht und einfach zu installieren und eignen sich daher ideal für hochdichte integrierte Schaltungen. Im Folgenden werden die Eigenschaften und Anwendungsbereiche von SMD-Isolatoren detailliert beschrieben. SMD-Isolatoren zeichnen sich durch einen breiten Frequenzbereich aus. Typischerweise decken sie einen Frequenzbereich von 400 MHz bis 18 GHz ab, um den Frequenzanforderungen verschiedener Anwendungen gerecht zu werden. Dank dieser umfassenden Frequenzbandabdeckung eignen sich SMD-Isolatoren hervorragend für vielfältige Anwendungsszenarien.
Frequenzbereich 200 MHz bis 15 GHz.
Militärische, Weltraum- und kommerzielle Anwendungen.
Geringe Einfügedämpfung, hohe Isolation, hohe Belastbarkeit.
Individuelle Designs sind auf Anfrage erhältlich.
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RFTXX-20RM0904 HF-Widerstand
Modell RFTXX-20RM0904 Leistung 20 W Widerstand XX Ω (10–3000 Ω anpassbar) Widerstandstoleranz ±5 % Kapazität 1,2 pF bei 100 Ω Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C Substrat BeO Abdeckung AL₂O₃ Montageflansch Messing Anschluss 99,99 % reines Silber Widerstandselement Dickschicht Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung) Umrisszeichnung (Einheit: mm) Die Anschlusskabellänge kann den Kundenanforderungen entsprechen. Größentoleranz: 5 %, sofern nicht anders angegeben. Empfehlung... -
Mikrostreifenisolator
Mikrostreifenisolatoren sind gängige HF- und Mikrowellenbauteile zur Signalübertragung und -trennung in Schaltungen. Sie werden mittels Dünnschichttechnologie hergestellt, um eine Leiterbahn auf einem rotierenden Ferritkern zu erzeugen und diese anschließend durch ein Magnetfeld zu stabilisieren. Die Installation von Mikrostreifenisolatoren erfolgt üblicherweise durch manuelles Löten von Kupferstreifen oder durch Golddrahtbonden. Im Vergleich zu Koaxial- und eingebetteten Isolatoren ist der Aufbau von Mikrostreifenisolatoren sehr einfach. Der auffälligste Unterschied besteht darin, dass sie keinen Hohlraum besitzen. Die Leiterbahnen des Mikrostreifenisolators werden mittels Dünnschichtverfahren (Vakuum-Sputtern) hergestellt, um das gewünschte Muster auf dem rotierenden Ferritkern zu erzeugen. Nach der Galvanisierung wird die Leiterbahn auf das Ferritkernsubstrat aufgebracht. Anschließend wird eine Isolierschicht darübergelegt und ein Magnetfeld angelegt. Mit diesem einfachen Aufbau ist ein Mikrostreifenisolator gefertigt.
Frequenzbereich 2,7 bis 43 GHz
Militärische, Weltraum- und kommerzielle Anwendungen.
Geringe Einfügedämpfung, hohe Isolation, hohe Belastbarkeit.
Individuelle Designs sind auf Anfrage erhältlich.
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CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3,0 GHz Low Intermodulation Termination
Modell CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frequenzbereich DC~3,0 GHz VSWR 1,20 Max. PIM3 ≥120 dBc@2*33 dBm Leistung 50 W Impedanz 50 Ω Anschlusstyp DIN-M (J) Wasserdichtigkeitsgrad IP65 Abmessungen 60×60×80 mm Betriebstemperatur -55 ~ +125 °C (siehe Leistungsreduzierung) Farbe Schwarz Gewicht ca. 410 g Achtung: Leistungsreduzierung beachten P/N-Bezeichnung -
RFTXX-20RM1304 HF-Widerstand
Modell RFTXX-20RM1304, Leistung 20 W, Widerstand XX Ω (10–3000 Ω anpassbar), Widerstandstoleranz ±5 %, Kapazität 1,2 pF bei 100 Ω, Temperaturkoeffizient <150 ppm/°C, Substrat BeO, Abdeckung AL₂O₃, Montageflansch Messing, Anschlussdrähte 99,99 % reines Silber, Widerstandselement Dickschicht, Betriebstemperatur -55 bis +150 °C (siehe Leistungsreduzierung), Umrisszeichnung (Einheit: mm), Die Anschlussdrahtlänge kann den Kundenanforderungen entsprechen. Größentoleranz: 5 %, sofern nicht anders angegeben. -
