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Chip-Anschluss

Chip-Terminierung ist eine gängige Form der Bauteilgehäuse für elektronische Komponenten und wird häufig für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten verwendet. Chip-Widerstände dienen zur Strombegrenzung, zur Regelung der Schaltungsimpedanz und zur lokalen Spannungsregelung. Im Gegensatz zu herkömmlichen Sockelwiderständen müssen Chip-Terminierungswiderstände nicht über Sockel mit der Leiterplatte verbunden werden, sondern werden direkt auf die Oberfläche gelötet. Diese Gehäuseform trägt zur Kompaktheit, Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit von Leiterplatten bei.


  • Wichtigste technische Daten:
  • Nennleistung:10-500 W
  • Substratmaterialien:BeO, AlN, Al2O3
  • Nennwiderstandswert:50 Ω
  • Widerstandstoleranz:±5%, ±2%, ±1%
  • Temperaturkoeffizient:<150 ppm/℃
  • Betriebstemperatur:-55~+150℃
  • ROHS-Standard:Konform mit
  • Individuelle Designs auf Anfrage erhältlich.
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    Chip-Anschluss (Typ A)

    Chip-Anschluss
    Wichtigste technische Daten:
    Nennleistung: 10-500 W;
    Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
    Nennwiderstandswert: 50 Ω
    Widerstandstoleranz: ±5%, ±2%, ±1%
    Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
    Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
    RoHS-Standard: Konform mit
    Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022

    asdxzc1
    Leistung(W) Frequenz Abmessungen (Einheit: mm)   SubstratMaterial Konfiguration Datenblatt (PDF)
    A B C D E F G
    10 W 6 GHz 2,5 5.0 0,7 2.4 / 1.0 2.0 AlN Abb. 2     RFT50N-10CT2550
    10 GHz 4.0 4.0 1.0 1.27 2.6 0,76 1,40 BeO Abb. 1     RFT50-10CT0404
    12W 12 GHz 1,5 3 0,38 1.4 / 0,46 1.22 AlN Abb. 2     RFT50N-12CT1530
    20 W 6 GHz 2,5 5.0 0,7 2.4 / 1.0 2.0 AlN Abb. 2     RFT50N-20CT2550
    10 GHz 4.0 4.0 1.0 1.27 2.6 0,76 1,40 BeO Abb. 1     RFT50-20CT0404
    30 W 6 GHz 6.0 6.0 1.0 1.3 3.3 0,76 1.8 AlN Abb. 1     RFT50N-30CT0606
    60 W 6 GHz 6.0 6.0 1.0 1.3 3.3 0,76 1.8 AlN Abb. 1     RFT50N-60CT0606
    100 W 5 GHz 6,35 6,35 1.0 1.3 3.3 0,76 1.8 BeO Abb. 1     RFT50-100CT6363

    Chip-Anschluss (Typ B)

    Chip-Anschluss
    Wichtigste technische Daten:
    Nennleistung: 10-500 W;
    Substratmaterialien: BeO, AlN
    Nennwiderstandswert: 50 Ω
    Widerstandstoleranz: ±5%, ±2%, ±1%
    Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
    Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
    RoHS-Standard: Konform mit
    Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
    Lötstellengröße: siehe Datenblatt
    (anpassbar an die Kundenanforderungen)

    Bild 1
    Leistung(W) Frequenz Abmessungen (Einheit: mm) SubstratMaterial Datenblatt (PDF)
    A B C D H
    10 W 6 GHz 4.0 4.0 1.1 0,9 1.0 AlN     RFT50N-10WT0404
    8 GHz 4.0 4.0 1.1 0,9 1.0 BeO     RFT50-10WT0404
    10 GHz 5.0 2,5 1.1 0,6 1.0 BeO     RFT50-10WT5025
    20 W 6 GHz 4.0 4.0 1.1 0,9 1.0 AlN     RFT50N-20WT0404
    8 GHz 4.0 4.0 1.1 0,9 1.0 BeO     RFT50-20WT0404
    10 GHz 5.0 2,5 1.1 0,6 1.0 BeO     RFT50-20WT5025
    30 W 6 GHz 6.0 6.0 1.1 1.1 1.0 AlN     RFT50N-30WT0606
    60 W 6 GHz 6.0 6.0 1.1 1.1 1.0 AlN     RFT50N-60WT0606
    100 W 3 GHz 8.9 5,7 1.8 1.2 1.0 AlN     RFT50N-100WT8957
    6 GHz 8.9 5,7 1.8 1.2 1.0 AlN     RFT50N-100WT8957B
    8 GHz 9.0 6.0 1.4 1.1 1,5 BeO     RFT50N-100WT0906C
    150 W 3 GHz 6,35 9,5 2.0 1.1 1.0 AlN     RFT50N-150WT6395
    9,5 9,5 2.4 1,5 1.0 BeO     RFT50-150WT9595
    4 GHz 10.0 10.0 2.6 1.7 1,5 BeO     RFT50-150WT1010
    6 GHz 10.0 10.0 2.6 1.7 1,5 BeO     RFT50-150WT1010B
    200 W 3 GHz 9,55 5,7 2.4 1.0 1.0 AlN     RFT50N-200WT9557
    9,5 9,5 2.4 1,5 1.0 BeO     RFT50-200WT9595
    4 GHz 10.0 10.0 2.6 1.7 1,5 BeO     RFT50-200WT1010
    10 GHz 12.7 12.7 2,5 1.7 2.0 BeO     RFT50-200WT1313B
    250 W 3 GHz 12.0 10.0 1,5 1,5 1,5 BeO     RFT50-250WT1210
    10 GHz 12.7 12.7 2,5 1.7 2.0 BeO     RFT50-250WT1313B
    300 W 3 GHz 12.0 10.0 1,5 1,5 1,5 BeO     RFT50-300WT1210
    10 GHz 12.7 12.7 2,5 1.7 2.0 BeO     RFT50-300WT1313B
    400 W 2 GHz 12.7 12.7 2,5 1.7 2.0 BeO     RFT50-400WT1313
    500 W 2 GHz 12.7 12.7 2,5 1.7 2.0 BeO     RFT50-500WT1313

    Überblick

    Chip-Anschlusswiderstände erfordern die Auswahl geeigneter Größen und Substratmaterialien je nach Leistungs- und Frequenzanforderungen. Die Substratmaterialien bestehen im Allgemeinen aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid und werden mittels Widerstands- und Leiterbahndruck aufgebracht.

    Chip-Anschlusswiderstände lassen sich in Dünnschicht- und Dickschichtwiderstände unterteilen, die in verschiedenen Standardgrößen und Leistungsoptionen erhältlich sind. Gerne entwickeln wir auch kundenspezifische Lösungen nach Ihren Vorgaben.

    Die Oberflächenmontagetechnik (SMT) ist ein gängiges Verfahren zur Gehäusefertigung elektronischer Bauteile und wird häufig für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten verwendet. Chipwiderstände sind eine Art von Widerständen, die zur Strombegrenzung, zur Regelung der Schaltungsimpedanz und zur lokalen Spannungsregelung eingesetzt werden.

    Im Gegensatz zu herkömmlichen Sockelwiderständen müssen Patch-Terminal-Widerstände nicht über Sockel mit der Leiterplatte verbunden werden, sondern werden direkt auf deren Oberfläche gelötet. Diese Bauform trägt zur Verbesserung der Kompaktheit, Leistung und Zuverlässigkeit von Leiterplatten bei.

    Chip-Anschlusswiderstände erfordern die Auswahl geeigneter Größen und Substratmaterialien je nach Leistungs- und Frequenzanforderungen. Die Substratmaterialien bestehen im Allgemeinen aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid und werden mittels Widerstands- und Leiterbahndruck aufgebracht.

    Chip-Anschlusswiderstände lassen sich in Dünnschicht- und Dickschichtwiderstände unterteilen, die in verschiedenen Standardgrößen und Leistungsoptionen erhältlich sind. Gerne entwickeln wir auch kundenspezifische Lösungen nach Ihren Vorgaben.

    Unser Unternehmen verwendet die international anerkannte Software HFSS für professionelle Design- und Simulationsentwicklung. Um die Zuverlässigkeit der Stromversorgung zu gewährleisten, wurden spezielle Leistungsmessungen durchgeführt. Hochpräzise Netzwerkanalysatoren dienten der Prüfung und Optimierung der Leistungsindikatoren und führten so zu einer zuverlässigen Performance.

    Unser Unternehmen entwickelt und konstruiert SMD-Anschlusswiderstände in verschiedenen Größen, Leistungsklassen (z. B. 2 W bis 800 W) und Frequenzbereichen (z. B. 1 GHz bis 18 GHz). Wir laden unsere Kunden ein, den passenden Widerstand für ihre spezifischen Anwendungsanforderungen auszuwählen.
    Oberflächenmontierte bleifreie Widerstände, auch bekannt als SMD-Widerstände, sind miniaturisierte elektronische Bauteile. Ihr Charakter besteht darin, dass sie keine herkömmlichen Anschlussdrähte besitzen, sondern mittels SMT-Technologie direkt auf die Leiterplatte gelötet werden.
    Diese Art von Widerstand zeichnet sich typischerweise durch geringe Größe und niedriges Gewicht aus, was ein hochdichtes Leiterplattendesign ermöglicht, Platz spart und die Systemintegration insgesamt verbessert. Da keine Anschlüsse vorhanden sind, weisen sie zudem eine geringere parasitäre Induktivität und Kapazität auf, was insbesondere für Hochfrequenzanwendungen entscheidend ist, da es Signalstörungen reduziert und die Schaltungsleistung verbessert.
    Die Installation von SMT-Bleifrei-Anschlusswiderständen ist relativ einfach, und die Serienmontage kann durch automatisierte Anlagen erfolgen, was die Produktionseffizienz steigert. Dank ihrer guten Wärmeableitungseigenschaften wird die Wärmeentwicklung im Betrieb effektiv reduziert und die Zuverlässigkeit erhöht.
    Darüber hinaus zeichnet sich dieser Widerstandstyp durch hohe Genauigkeit aus und erfüllt vielfältige Anwendungsanforderungen mit präzisen Widerstandswerten. Er findet breite Anwendung in elektronischen Produkten, beispielsweise als passives Bauelement, HF-Isolator, Koppler, Koaxiallast und in weiteren Bereichen.
    Insgesamt sind SMT-Bleifrei-Anschlusswiderstände aufgrund ihrer geringen Größe, ihrer guten Hochfrequenzeigenschaften und ihrer einfachen Installation zu einem unverzichtbaren Bestandteil moderner Elektronikentwicklung geworden.


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