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Bleiterminierung
Bleiterminierung
Bleiterminierung
Wichtigste technische Daten:
Nennleistung: 5-800 W;
Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
Nennwiderstandswert: 50 Ω
Widerstandstoleranz: ±5%, ±2%, ±1%
Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
RoHS-Standard: Konform mit
Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
Anschlusslänge: L gemäß Datenblatt
(Kann an die Kundenanforderungen angepasst werden)
| Leistung(W) | Frequenz | Abmessungen (Einheit: mm) | SubstratMaterial | Datenblatt (PDF) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11 GHz | 1.27 | 2,54 | 0,5 | 1.0 | 0,8 | 3.0 | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10 W | 4 GHz | 2,5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3,5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2,5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
| 20 W | 4 GHz | 2,5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
| 6 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8 GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
| 10 GHz | 5.0 | 3,5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
| 18 GHz | 5.0 | 2,5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
| 30 W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
| 60 W | 6 GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
| 6,35 | 6,35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100 W | 3 GHz | 6,35 | 9,5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5,7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9,5 | 9,5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
| 6 GHz | 6,35 | 6,35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5,7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8 GHz | 9.0 | 6.0 | 1,5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
| 150 W | 3 GHz | 6,35 | 9,5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
| 9,5 | 9,5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
| 6 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
| 200 W | 3 GHz | 9,5 | 9,5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
| 4 GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
| 250 W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1,5 | 2,5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
| 300 W | 3 GHz | 12.0 | 10.0 | 1,5 | 2,5 | 1.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
| 10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
| 400 W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
| 500 W | 2 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3,5 | 2.4 | 5.0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
| 800 W | 1 GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Überblick
Die Herstellung von bedrahteten Anschlüssen erfolgt durch Auswahl geeigneter Substratgröße und -materialien basierend auf unterschiedlichen Frequenz- und Leistungsanforderungen, mittels Widerstandsmessung, Leiterbahnbestückung und Sintern. Gängige Substratmaterialien sind Berylliumoxid, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid oder Materialien mit besserer Wärmeableitung.
Die Anschlusstechnik mit Bleianschluss erfolgt im Dünnschicht- und Dickschichtverfahren. Sie wird anhand spezifischer Leistungs- und Frequenzanforderungen ausgelegt und anschließend prozessbezogen verarbeitet. Bei speziellen Anforderungen kontaktieren Sie bitte unsere Vertriebsmitarbeiter, um individuelle Lösungen zu besprechen.
