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Abbildung eines Flanschanschlusses
  • Flanschanschluss

Flanschanschluss

Flanschanschlüsse werden am Ende eines Stromkreises installiert. Sie absorbieren die im Stromkreis übertragenen Signale und verhindern Signalreflexionen, wodurch die Übertragungsqualität des Stromkreises verbessert wird. Der Flanschanschluss wird durch Verschweißen eines einadrigen Anschlusswiderstands mit Flanschen und Lötpads hergestellt. Die Flanschgröße wird üblicherweise anhand der Anzahl der Befestigungslöcher und der Abmessungen des Anschlusswiderstands berechnet. Kundenspezifische Anpassungen sind ebenfalls möglich.


  • Nennleistung:5-1500 W
  • Substratmaterialien:BeO, AlN, Al2O3
  • Nennwiderstandswert:50 Ω
  • Widerstandstoleranz:±5%, ±2%, ±1%
  • Temperaturkoeffizient:<150 ppm/℃
  • Betriebstemperatur:-55～+150℃
  • Flanschbeschichtung:optionale Nickel- oder Silberplattierung
  • ROHS-Standard:Konform mit
  • Kabellänge:L wie im Datenblatt angegeben
  • Individuelle Designs auf Anfrage erhältlich.
    • sales@rftyt.com

    Produktdetails

    Produkt-Tags

    Flanschanschluss

    Flanschanschluss
    Wichtigste technische Daten:

    Nennleistung: 5-1500 W;
    Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
    Nennwiderstandswert: 50 Ω
    Widerstandstoleranz: ±5%, ±2%, ±1%
    Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
    Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
    Flanschbeschichtung: optional Nickel- oder Silberplattierung
    RoHS-Standard: Konform mit
    Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
    Anschlusslänge: L gemäß Datenblatt
    (Kann an die Kundenanforderungen angepasst werden)

    zxczxc1
    Leistung
    (W)    		 Frequenz
    Reichweite    		 Dimension (Einheit: mm) SubstratMaterial Konfiguration Datenblatt
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Abb. 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Abb. 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Abb. 2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 W 4 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Abb. 2   RFT50-10TM7750((R,L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Abb. 1   RFT50A-10TM1304
    AlN Abb. 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Abb. 1   RFT50A-10TM1104
    AlN Abb. 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Abb. 2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN Abb. 2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Abb. 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Abb. 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Abb. 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Abb. 2   RFT50-10TM7750I
    20 W 4 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Abb. 2   RFT50-20TM7750((R,L))
    6 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN Abb. 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN Abb. 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN Abb. 2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Abb. 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Abb. 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Abb. 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 GHz 7,7 5.0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Abb. 2   RFT50-10TM7750I
    30 W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Abb. 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO Abb. 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO Abb. 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO Abb. 2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 W 6 GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Abb. 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO Abb. 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO Abb. 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO Abb. 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    Siehe Abb. 3, 4,5
    Leistung
    (W)    		 Frequenz
    Reichweite    		 Abmessungen (Einheit: mm) Substrat
    Material    		 Konfiguration Datenblatt (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Abb. 1   RFT50-100TM2595
    4 GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 BeO Abb. 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-100TJ2510
    5 GHz 13.0 6,35 10.0 6,35 1,5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO Abb. 2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6,35 12.0 6,35 1,5 2,5 3,5 1.0 5.0 / 2,5 BeO Abb. 1   RFT50-100TM1663
    6 GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 AlN Abb. 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1,5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1,5 3.0 3,5 1.0 5.0 / 3.2 AlN Abb. 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 W 3 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9,5 14.0 6,35 1,5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN Abb. 1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Abb. 1   RFT50-150TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-150TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-150TJ2510
    200 W 3 GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5,5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Abb. 1   RFT50-200TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-200TM2510
    4 GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1,5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-150TJ2510
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Abb. 1   RFT50-200TM3213B
    250 W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 3   RFT50-250TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5,5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50-250TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Abb. 1   RFT50-250TM3213B
    300 W 3 GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1,5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50-300TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5,5 1.4 6.0 / 3,5 BeO Abb. 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5,5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Abb. 1   RFT50-300TM2710
    10 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Abb. 1   RFT50-300TM3213B
    400 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Abb. 1   RFT50-400TM3213
    500 W 2 GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Abb. 1   RFT50-500TM3213
    800 W 1 GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Abb. 5   RFT50-800TM4826
    1000 W 1 GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Abb. 5   RFT50-1000TM4826
    1500 W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO Abb. 5   RFT50-1500TM5078

    Überblick

    Der Flansch besteht im Allgemeinen aus verkupfertem Nickel oder Silber. Das Widerstandssubstrat wird je nach Leistungsbedarf und Wärmeableitungsbedingungen üblicherweise aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumoxid hergestellt.

    Der Flanschanschluss dient, wie der Anschluss mit Führungsdraht, hauptsächlich dazu, Signalwellen zu absorbieren, die zum Ende des Stromkreises übertragen werden, zu verhindern, dass Signalreflexionen den Stromkreis beeinträchtigen, und die Übertragungsqualität des Stromkreissystems sicherzustellen.

    Der Flanschanschluss zeichnet sich durch seine einfache Installation im Vergleich zu Patch-Widerständen aus, da er über einen Flansch und Befestigungslöcher am Flansch verfügt.

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