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RFTXX-30CR2550W Chip Widerstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR2550W Power 30 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
RFTXX-30CR2550TA-Chipwiderstand RF-Widerstand
Model RFTXX-30CR2550TA Power 30W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Suggested mounting procedures Power De-rating Reflow Profile P/N Designation Use attention ■ After the storage period of newly purchased parts Über 6 Monate wird die Schweißbarkeit vor der Verwendung auf die Schweißbarkeit geschenkt. Es wird empfohlen ... -
RFTXX-30RM2006 Flanschwiderstand RF Resistor
Modell RFTXX-30RM2006 Leistung 30 W Widerstand xx ω (10 ~ 2000 Ω Anpassbar) Widerstandstoleranz ± 5% Kapazität 2,6 PF@100 Ω Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substrat BEO-Abdeckung Al2o3 Mounting Flanschfleisch-Blei (siehe Power-1. (Einheit: mm) Die Länge des Bleidrahtes kann der Anforderungen der Kundengrößengröße entsprechen: 5%, sofern nicht anders angegeben, vermuten ... -
RFTXX-30RM1306 RF-Widerstand
Modell RFTXX-30RM1306 Leistung 30 W Resistenz xx ω (10 ~ 2000 ω anpassbar) Widerstandstoleranz ± 5% Kapazität 2,6 PF@100 & Ω Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substrat BEO-Abdeckung Al2o3 Mounting Flanschmni (Einheit: mm) Die Länge des Bleidrahtes kann der Anforderungen der Kundengrößengröße entsprechen: 5%, sofern nicht anders angegeben, vermuten ... -
Dual Junction Isolator
Ein Dual-Junction-Isolator ist ein passives Gerät, das üblicherweise in Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzbändern verwendet wird, um umgekehrte Signale vom Antennenende zu isolieren. Es besteht aus der Struktur zweier Isolatoren. Sein Einfügungsverlust und seine Isolation sind typischerweise zweimal als ein einzelner Isolator. Wenn die Isolierung eines einzelnen Isolators 20 dB beträgt, kann die Isolierung eines Doppelkreuztisolators häufig 40 dB betragen. Der Port VSWR ändert sich nicht viel. In dem System, wenn das Funkfrequenzsignal vom Eingangsport auf den ersten Ringübergang übertragen wird, da ein Ende des ersten Ringübergangs mit einem Funkfrequenzwiderstand ausgestattet ist, kann sein Signal nur an das Eingangsende des zweiten Ringübergangs übertragen werden. Der zweite Schleifenverbiss ist der gleiche wie der erste, wobei HF -Widerstände installiert sind. Das Signal wird an den Ausgangsanschluss übergeben und seine Isolation ist die Summe der Isolation der beiden Schleifenstücken. Das aus dem Ausgangsanschluss zurückgegebene umgekehrte Signal wird vom HF -Widerstand im zweiten Ringübergang absorbiert. Auf diese Weise wird ein starker Maß an Isolation zwischen Eingangs- und Ausgangsports erreicht, wodurch die Reflexionen und Interferenzen im System effektiv reduziert werden.
Frequenzbereich 10 MHz bis 40 GHz, bis zu 500 W Strom.
Militär-, Raum- und kommerzielle Anwendungen.
Niedriger Einfügungsverlust, hohe Isolation, hohe Leistungsbearbeitung.
Auf Anfrage erhältlich.
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SMT / SMD -Isolator
SMD -Isolator ist ein Isolationsgerät, das für Verpackungen und Installation auf einer PCB (gedruckte Leiterplatte) verwendet wird. Sie werden häufig in Kommunikationssystemen, Mikrowellenausrüstung, Funkgeräten und anderen Feldern eingesetzt. SMD-Isolatoren sind klein, leicht und einfach zu installieren, wodurch sie für integrierte Schaltungsanwendungen mit hoher Dichte geeignet sind. Das Folgende bietet eine detaillierte Einführung in die Merkmale und Anwendungen von SMD -Isolatoren. Erfest weisen SMD -Isolatoren eine Vielzahl von Frequenzbandabdeckungsfunktionen auf. Sie decken typischerweise einen breiten Frequenzbereich wie 400 MHz-18GHz ab, um die Frequenzanforderungen verschiedener Anwendungen zu erfüllen. Diese umfangreiche Funktion der Frequenzbandabdeckung ermöglicht es SMD -Isolatoren, in mehreren Anwendungsszenarien hervorragend abzulegen.
Frequenzbereich 200 MHz bis 15 GHz.
Militär-, Raum- und kommerzielle Anwendungen.
Niedriger Einfügungsverlust, hohe Isolation, hohe Leistungsbearbeitung.
Auf Anfrage erhältlich.
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RFTXX-20RM0904 RF-Widerstand
Model RFTXX-20RM0904 Power 20 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 1.2 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Mounting Flange Brass Lead 99.99% pure silver Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Outline Drawing (Einheit: mm) Die Länge des Bleidrahtes kann der Anforderungen der Kundengrößengröße entsprechen: 5%, sofern nicht anders angegeben, vermuten ... -
Microstrip -Isolator
Microstrip -Isolatoren sind häufig verwendetes HF- und Mikrowellengerät, das für die Signalübertragung und Isolierung in Schaltkreisen verwendet wird. Es verwendet Dünnfilmtechnologie, um eine Schaltung auf einem rotierenden Magnetferrit zu erstellen, und fügt dann ein Magnetfeld hinzu, um es zu erreichen. Die Installation von Microstrip -Isolatoren übernimmt im Allgemeinen die Methode des manuellen Lötens von Kupferstreifen oder Golddrahtbindung. Die Struktur von Mikrostreifen -Isolatoren ist im Vergleich zu koaxialen und eingebetteten Isolatoren sehr einfach. Der offensichtlichste Unterschied besteht darin, dass es keinen Hohlraum gibt, und der Leiter des Mikrostreifen -Isolators wird unter Verwendung eines Dünnfilmprozesses (Vakuumsputter) hergestellt, um das entworfene Muster am Rotationsferrit zu erzeugen. Nach dem Elektroplieren wird der erzeugte Leiter am Rotationsferrit -Substrat befestigt. Befestigen Sie eine Isoliermediumschicht oben im Diagramm und fixieren Sie ein Magnetfeld auf dem Medium. Bei einer so einfachen Struktur wurde ein Mikrostreifen -Isolator hergestellt.
Frequenzbereich 2,7 bis 43 GHz
Militär-, Raum- und kommerzielle Anwendungen.
Niedriger Einfügungsverlust, hohe Isolation, hohe Leistungsbearbeitung.
Auf Anfrage erhältlich.
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CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3,0 GHz niedriger Intermodulationsabschluss
Modell CT-50W-FH6080-IP65-Dinj-3G Frequenzbereich DC ~ 3,0 GHz VSWR 1,20 max Pim3 ≥120 dbc@2*33 dbm Leistung 50W Impedanz 50 Ω Anschlusstyp DIN-M (j) Wasserfeste IP65-Abmessung 60 × 60 mm. G Nutzen -
RFTXX-20RM1304 RF-Widerstand
Model RFTXX-20RM1304 Power 20 W Resistance XX Ω (10~3000Ω Customizable) Resistance Tolerance ±5% Capacitance 1.2 PF@100Ω Temperature Coefficient <150ppm/℃ Substrate BeO Cover AL2O3 Mounting Flange Brass Lead 99.99% pure silver Resistive Element Thick Film Operating Temperature -55 to +150°C (See de Power De-rating) Outline Drawing (Einheit: mm) Die Länge des Bleidrahtes kann der Anforderungen der Kundengrößengröße entsprechen: 5%, sofern nicht anders angegeben ... -
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RFT50-100CT6363 DC ~ 5,0 GHz RF-Kündigung
Modell RFT50-100CT6363 Frequenzbereich DC ~ 5,0 GHz Leistung 100-W-Widerstandsbereich 50 Ω Widerstandstoleranz ± 5% VSWR DC ~ 4,0 GHz 1,20 maxdc ~ 5,0 GHz 1,25 Maxtemperaturkoeffizient <150PPM/℃ Substratmaterial BEO-Resistance-Typier-Typ-Operating-Temperatur-Temperatur. Methode Power De-Rating Reflow-Zeit und Temperaturdiagramm: P/N-Bezeichnung Mangel, die Aufmerksamkeit benötigen ■ Nach der Speicherung p ...
