Chip-Terminierung
Wichtigste technische Daten:
Nennleistung: 10–500 W;
Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
Nennwiderstandswert: 50 Ω
Widerstandstoleranz: ±5 %, ±2 %, ±1 %
Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
ROHS-Standard: Konform mit
Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
Leistung(W) | Frequenz | Abmessungen (Einheit: mm) | SubstratMaterial | Aufbau | Datenblatt (PDF) | ||||||
A | B | C | D | E | F | G | |||||
10W | 6GHz | 2.5 | 5,0 | 0,7 | 2.4 | / | 1,0 | 2,0 | AlN | Abb. 2 | RFT50N-10CT2550 |
10 GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1,40 | BeO | Abb. 1 | RFT50-10CT0404 | |
12W | 12 GHz | 1.5 | 3 | 0,38 | 1.4 | / | 0,46 | 1.22 | AlN | Abb. 2 | RFT50N-12CT1530 |
20W | 6GHz | 2.5 | 5,0 | 0,7 | 2.4 | / | 1,0 | 2,0 | AlN | Abb. 2 | RFT50N-20CT2550 |
10 GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.27 | 2.6 | 0,76 | 1,40 | BeO | Abb. 1 | RFT50-20CT0404 | |
30W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | Abb. 1 | RFT50N-30CT0606 |
60W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | AlN | Abb. 1 | RFT50N-60CT0606 |
100W | 5GHz | 6.35 | 6.35 | 1,0 | 1.3 | 3.3 | 0,76 | 1.8 | BeO | Abb. 1 | RFT50-100CT6363 |
Chip-Terminierung
Wichtigste technische Daten:
Nennleistung: 10–500 W;
Substratmaterialien: BeO, AlN
Nennwiderstandswert: 50 Ω
Widerstandstoleranz: ±5 %, ±2 %, ±1 %
Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
ROHS-Standard: Konform mit
Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
Lötstellengröße: siehe Datenblatt
(anpassbar nach Kundenwunsch)
Leistung(W) | Frequenz | Abmessungen (Einheit: mm) | SubstratMaterial | Datenblatt (PDF) | ||||
A | B | C | D | H | ||||
10W | 6GHz | 4,0 | 4,0 | 1.1 | 0,9 | 1,0 | AlN | RFT50N-10WT0404 |
8GHz | 4,0 | 4,0 | 1.1 | 0,9 | 1,0 | BeO | RFT50-10WT0404 | |
10 GHz | 5,0 | 2.5 | 1.1 | 0,6 | 1,0 | BeO | RFT50-10WT5025 | |
20W | 6GHz | 4,0 | 4,0 | 1.1 | 0,9 | 1,0 | AlN | RFT50N-20WT0404 |
8GHz | 4,0 | 4,0 | 1.1 | 0,9 | 1,0 | BeO | RFT50-20WT0404 | |
10 GHz | 5,0 | 2.5 | 1.1 | 0,6 | 1,0 | BeO | RFT50-20WT5025 | |
30W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1.1 | 1.1 | 1,0 | AlN | RFT50N-30WT0606 |
60W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1.1 | 1.1 | 1,0 | AlN | RFT50N-60WT0606 |
100W | 3GHz | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1,0 | AlN | RFT50N-100WT8957 |
6GHz | 8.9 | 5.7 | 1.8 | 1.2 | 1,0 | AlN | RFT50N-100WT8957B | |
8GHz | 9.0 | 6,0 | 1.4 | 1.1 | 1.5 | BeO | RFT50N-100WT0906C | |
150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 2,0 | 1.1 | 1,0 | AlN | RFT50N-150WT6395 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1,0 | BeO | RFT50-150WT9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010 | |
6GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-150WT1010B | |
200W | 3GHz | 9.55 | 5.7 | 2.4 | 1,0 | 1,0 | AlN | RFT50N-200WT9557 |
9.5 | 9.5 | 2.4 | 1.5 | 1,0 | BeO | RFT50-200WT9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 2.6 | 1.7 | 1.5 | BeO | RFT50-200WT1010 | |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2,0 | BeO | RFT50-200WT1313B | |
250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-250WT1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2,0 | BeO | RFT50-250WT1313B | |
300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | BeO | RFT50-300WT1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2,0 | BeO | RFT50-300WT1313B | |
400W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2,0 | BeO | RFT50-400WT1313 |
500W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2.5 | 1.7 | 2,0 | BeO | RFT50-500WT1313 |
Chip-Abschlusswiderstände erfordern die Auswahl geeigneter Größen und Substratmaterialien basierend auf unterschiedlichen Leistungs- und Frequenzanforderungen.Die Substratmaterialien bestehen im Allgemeinen aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid durch Widerstands- und Schaltungsdruck.
Chip-Abschlusswiderstände können in Dünnschicht- oder Dickschichtwiderstände mit verschiedenen Standardgrößen und Leistungsoptionen unterteilt werden.Für individuelle Lösungen nach Kundenwunsch können wir uns auch gerne an uns wenden.
Die Oberflächenmontagetechnologie (SMT) ist eine gängige Form der Verpackung elektronischer Komponenten und wird üblicherweise für die Oberflächenmontage von Leiterplatten verwendet.Chip-Widerstände sind eine Art von Widerständen, die zur Strombegrenzung, zur Regelung der Schaltkreisimpedanz und der lokalen Spannung verwendet werden.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Buchsenwiderständen müssen Patch-Anschlusswiderstände nicht über Buchsen mit der Leiterplatte verbunden werden, sondern werden direkt auf die Oberfläche der Leiterplatte gelötet.Diese Verpackungsform trägt dazu bei, die Kompaktheit, Leistung und Zuverlässigkeit von Leiterplatten zu verbessern.
Chip-Abschlusswiderstände erfordern die Auswahl geeigneter Größen und Substratmaterialien basierend auf unterschiedlichen Leistungs- und Frequenzanforderungen.Die Substratmaterialien bestehen im Allgemeinen aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid und Aluminiumoxid durch Widerstands- und Schaltungsdruck.
Chip-Abschlusswiderstände können in Dünnschicht- oder Dickschichtwiderstände mit verschiedenen Standardgrößen und Leistungsoptionen unterteilt werden.Für individuelle Lösungen nach Kundenwunsch können wir uns auch gerne an uns wenden.
Unser Unternehmen nutzt die internationale allgemeine Software HFSS für professionelle Design- und Simulationsentwicklung.Um die Zuverlässigkeit der Stromversorgung sicherzustellen, wurden spezielle Experimente zur Leistungsfähigkeit durchgeführt.Zur Prüfung und Überprüfung der Leistungsindikatoren wurden hochpräzise Netzwerkanalysatoren eingesetzt, die zu einer zuverlässigen Leistung führten.
Unser Unternehmen hat oberflächenmontierbare Abschlusswiderstände mit unterschiedlichen Größen, unterschiedlichen Leistungen (z. B. 2 W-800 W-Abschlusswiderstände mit unterschiedlichen Leistungen) und unterschiedlichen Frequenzen (z. B. 1 G-18 GHz-Abschlusswiderstände) entwickelt und konstruiert.Willkommene Kunden zur Auswahl und Verwendung entsprechend spezifischer Nutzungsanforderungen.
Bei oberflächenmontierten bleifreien Abschlusswiderständen, auch als oberflächenmontierte bleifreie Widerstände bezeichnet, handelt es sich um miniaturisierte elektronische Komponenten.Seine Besonderheit besteht darin, dass es keine herkömmlichen Anschlüsse aufweist, sondern mittels SMT-Technologie direkt auf die Leiterplatte gelötet wird.
Dieser Widerstandstyp bietet typischerweise die Vorteile einer geringen Größe und eines geringen Gewichts, was ein Leiterplattendesign mit hoher Dichte ermöglicht, Platz spart und die Gesamtsystemintegration verbessert.Aufgrund des Fehlens von Leitungen weisen sie auch eine geringere parasitäre Induktivität und Kapazität auf, was für Hochfrequenzanwendungen von entscheidender Bedeutung ist, da sie Signalstörungen reduzieren und die Schaltkreisleistung verbessern.
Der Installationsprozess bleifreier SMT-Abschlusswiderstände ist relativ einfach und die Batch-Installation kann mithilfe automatisierter Geräte durchgeführt werden, um die Produktionseffizienz zu verbessern.Seine Wärmeableitungsleistung ist gut, wodurch die vom Widerstand während des Betriebs erzeugte Wärme effektiv reduziert und die Zuverlässigkeit verbessert werden kann.
Darüber hinaus verfügt dieser Widerstandstyp über eine hohe Genauigkeit und kann mit strengen Widerstandswerten verschiedene Anwendungsanforderungen erfüllen.Sie werden häufig in elektronischen Produkten verwendet, beispielsweise in HF-Isolatoren mit passiven Komponenten.Koppler, Koaxiallasten und andere Bereiche.
Insgesamt sind bleifreie SMT-Abschlusswiderstände aufgrund ihrer geringen Größe, guten Hochfrequenzleistung und einfachen Installation zu einem unverzichtbaren Bestandteil des modernen Elektronikdesigns geworden