Führende Kündigung
Wichtigste technische Daten:
Nennleistung: 5–800 W;
Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
Nennwiderstandswert: 50 Ω
Widerstandstoleranz: ±5 %, ±2 %, ±1 %
Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
ROHS-Standard: Konform mit
Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
Leitungslänge: L wie im Datenblatt angegeben
(kann nach Kundenwunsch angepasst werden)
Leistung(W) | Frequenz | Abmessungen (Einheit: mm) | SubstratMaterial | Datenblatt (PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | ||||
5W | 6GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 3,0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
11 GHz | 1.27 | 2,54 | 0,5 | 1,0 | 0,8 | 3,0 | AlN | RFT50N-05TJ1225 | |
10W | 4GHz | 2.5 | 5,0 | 1,0 | 1.9 | 1,0 | 4,0 | BeO | RFT50-10TM2550 |
6GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 3,0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
8GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-10TM0404 | |
10 GHz | 5,0 | 3.5 | 1,0 | 1.9 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-10TM5035 | |
18 GHz | 5,0 | 2.5 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-10TM5023 | |
20W | 4GHz | 2.5 | 5,0 | 1,0 | 1.9 | 1,0 | 4,0 | BeO | RFT50-20TM2550 |
6GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 3,0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
8GHz | 4,0 | 4,0 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-20TM0404 | |
10 GHz | 5,0 | 3.5 | 1,0 | 1.9 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-20TM5035 | |
18 GHz | 5,0 | 2.5 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 3,0 | BeO | RFT50-20TM5023 | |
30W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | AlN | RFT50N-30TJ0606 |
6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | BeO | RFT50-30TM0606 | ||
60W | 6GHz | 6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | AlN | RFT50N-60TJ0606 |
6,0 | 6,0 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | BeO | RFT50-60TM0606 | ||
6.35 | 6.35 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | BeO | RFT50-60TJ6363 | ||
100W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1,0 | 1.6 | 1.4 | 5,0 | AlN | RFT50N-100TJ6395 |
8.9 | 5.7 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 5,0 | AlN | RFT50N-100TJ8957 | ||
9.5 | 9.5 | 1,0 | 1.6 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-100TJ9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1,0 | 1.8 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-100TJ1010 | |
6GHz | 6.35 | 6.35 | 1,0 | 1.8 | 1,0 | 5,0 | BeO | RFT50-100TJ6363 | |
8.9 | 5.7 | 1,0 | 1.6 | 1,0 | 5,0 | AlN | RFT50N-100TJ8957B | ||
8GHz | 9.0 | 6,0 | 1.5 | 2,0 | 1,0 | 5,0 | BeO | RFT50-100TJ0906C | |
150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1,0 | 1.6 | 1.4 | 5,0 | AlN | RFT50N-150TJ6395 |
9.5 | 9.5 | 1,0 | 1.6 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-150TJ9595 | ||
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1,0 | 1.8 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-150TJ1010 | |
6GHz | 10.0 | 10.0 | 1,0 | 1.8 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-150TJ1010B | |
200W | 3GHz | 9.5 | 9.5 | 1,0 | 1.6 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-200TJ9595 |
4GHz | 10.0 | 10.0 | 1,0 | 1.8 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-200TJ1010 | |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2,0 | 3.5 | 2.4 | 5,0 | BeO | RFT50-200TM1313B | |
250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-250TM1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2,0 | 3.5 | 2.4 | 5,0 | BeO | RFT50-250TM1313B | |
300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5,0 | BeO | RFT50-300TM1210 |
10 GHz | 12.7 | 12.7 | 2,0 | 3.5 | 2.4 | 5,0 | BeO | RFT50-300TM1313B | |
400W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2,0 | 3.5 | 2.4 | 5,0 | BeO | RFT50-400TM1313 |
500W | 2GHz | 12.7 | 12.7 | 2,0 | 3.5 | 2.4 | 5,0 | BeO | RFT50-500TM1313 |
800W | 1 GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | BeO | RFT50-800TM2525 |
Der bedrahtete Anschluss erfolgt durch die Auswahl geeigneter Substratgrößen und -materialien auf der Grundlage unterschiedlicher Frequenz- und Leistungsanforderungen sowie durch Widerstand, Schaltungsdruck und Sintern.Die üblicherweise verwendeten Substratmaterialien können hauptsächlich Berylliumoxid, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid oder Materialien mit besserer Wärmeableitung sein.
Leaded Termination, unterteilt in Dünnschichtverfahren und Dickschichtverfahren.Es wird auf der Grundlage spezifischer Leistungs- und Frequenzanforderungen entworfen und dann im Prozess verarbeitet.Wenn Sie spezielle Anforderungen haben, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufspersonal, um spezifische Lösungen für die individuelle Anpassung zu erhalten.