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Führende Kündigung

Bei einem bedrahteten Abschluss handelt es sich um einen am Ende eines Stromkreises installierten Widerstand, der im Stromkreis übertragene Signale absorbiert und Signalreflexionen verhindert, wodurch die Übertragungsqualität des Stromkreissystems beeinträchtigt wird.

Bedrahtete Anschlüsse werden auch als SMD-Einzelleiter-Anschlusswiderstände bezeichnet.Es wird am Ende des Stromkreises durch Schweißen installiert.Der Hauptzweck besteht darin, an das Ende des Stromkreises übertragene Signalwellen zu absorbieren, zu verhindern, dass Signalreflexionen den Stromkreis beeinträchtigen, und die Übertragungsqualität des Stromkreissystems sicherzustellen.


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Führende Kündigung

Führende Kündigung
Wichtigste technische Daten:
Nennleistung: 5–800 W;
Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
Nennwiderstandswert: 50 Ω
Widerstandstoleranz: ±5 %, ±2 %, ±1 %
Temperaturkoeffizient: <150 ppm/℃
Betriebstemperatur: -55 bis +150 °C
ROHS-Standard: Konform mit
Anwendbarer Standard: Q/RFTYTR001-2022
Leitungslänge: L wie im Datenblatt angegeben
(kann nach Kundenwunsch angepasst werden)

Bewertet1
Leistung(W) Frequenz Abmessungen (Einheit: mm) SubstratMaterial Datenblatt (PDF)
A B H G W L
5W 6GHz 4,0 4,0 1,0 1.6 1,0 3,0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 GHz 1.27 2,54 0,5 1,0 0,8 3,0 AlN     RFT50N-05TJ1225
10W 4GHz 2.5 5,0 1,0 1.9 1,0 4,0 BeO     RFT50-10TM2550
6GHz 4,0 4,0 1,0 1.6 1,0 3,0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8GHz 4,0 4,0 1,0 1.6 1,0 3,0 BeO     RFT50-10TM0404
10 GHz 5,0 3.5 1,0 1.9 1,0 3,0 BeO     RFT50-10TM5035
18 GHz 5,0 2.5 1,0 1.8 1,0 3,0 BeO     RFT50-10TM5023
20W 4GHz 2.5 5,0 1,0 1.9 1,0 4,0 BeO     RFT50-20TM2550
6GHz 4,0 4,0 1,0 1.6 1,0 3,0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8GHz 4,0 4,0 1,0 1.6 1,0 3,0 BeO     RFT50-20TM0404
10 GHz 5,0 3.5 1,0 1.9 1,0 3,0 BeO     RFT50-20TM5035
18 GHz 5,0 2.5 1,0 1.8 1,0 3,0 BeO     RFT50-20TM5023
30W 6GHz 6,0 6,0 1,0 1.8 1,0 5,0 AlN     RFT50N-30TJ0606
6,0 6,0 1,0 1.8 1,0 5,0 BeO     RFT50-30TM0606
60W 6GHz 6,0 6,0 1,0 1.8 1,0 5,0 AlN     RFT50N-60TJ0606
6,0 6,0 1,0 1.8 1,0 5,0 BeO     RFT50-60TM0606
6.35 6.35 1,0 1.8 1,0 5,0 BeO     RFT50-60TJ6363
100W 3GHz 6.35 9.5 1,0 1.6 1.4 5,0 AlN     RFT50N-100TJ6395
8.9 5.7 1,0 1.6 1,0 5,0 AlN     RFT50N-100TJ8957
9.5 9.5 1,0 1.6 1.4 5,0 BeO     RFT50-100TJ9595
4GHz 10.0 10.0 1,0 1.8 1.4 5,0 BeO     RFT50-100TJ1010
6GHz 6.35 6.35 1,0 1.8 1,0 5,0 BeO     RFT50-100TJ6363
8.9 5.7 1,0 1.6 1,0 5,0 AlN     RFT50N-100TJ8957B
     
8GHz 9.0 6,0 1.5 2,0 1,0 5,0 BeO     RFT50-100TJ0906C
150W 3GHz 6.35 9.5 1,0 1.6 1.4 5,0 AlN     RFT50N-150TJ6395
9.5 9.5 1,0 1.6 1.4 5,0 BeO     RFT50-150TJ9595
4GHz 10.0 10.0 1,0 1.8 1.4 5,0 BeO     RFT50-150TJ1010
6GHz 10.0 10.0 1,0 1.8 1.4 5,0 BeO     RFT50-150TJ1010B
200W 3GHz 9.5 9.5 1,0 1.6 1.4 5,0 BeO     RFT50-200TJ9595
 
4GHz 10.0 10.0 1,0 1.8 1.4 5,0 BeO     RFT50-200TJ1010
10 GHz 12.7 12.7 2,0 3.5 2.4 5,0 BeO     RFT50-200TM1313B
250W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5,0 BeO     RFT50-250TM1210
10 GHz 12.7 12.7 2,0 3.5 2.4 5,0 BeO     RFT50-250TM1313B
300W 3GHz 12.0 10.0 1.5 2.5 1.4 5,0 BeO     RFT50-300TM1210
10 GHz 12.7 12.7 2,0 3.5 2.4 5,0 BeO     RFT50-300TM1313B
400W 2GHz 12.7 12.7 2,0 3.5 2.4 5,0 BeO     RFT50-400TM1313
500W 2GHz 12.7 12.7 2,0 3.5 2.4 5,0 BeO     RFT50-500TM1313
800W 1 GHz 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

Überblick

Der bedrahtete Anschluss erfolgt durch die Auswahl geeigneter Substratgrößen und -materialien auf der Grundlage unterschiedlicher Frequenz- und Leistungsanforderungen sowie durch Widerstand, Schaltungsdruck und Sintern.Die üblicherweise verwendeten Substratmaterialien können hauptsächlich Berylliumoxid, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid oder Materialien mit besserer Wärmeableitung sein.

Leaded Termination, unterteilt in Dünnschichtverfahren und Dickschichtverfahren.Es wird auf der Grundlage spezifischer Leistungs- und Frequenzanforderungen entworfen und dann im Prozess verarbeitet.Wenn Sie spezielle Anforderungen haben, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufspersonal, um spezifische Lösungen für die individuelle Anpassung zu erhalten.


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